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2N3692

更新时间: 2024-02-04 05:27:46
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美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-92

2N3692 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.91最大集电极电流 (IC):0.2 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.62 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):200 MHz

2N3692 数据手册

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