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2N3386

更新时间: 2024-01-28 19:38:12
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 35K
描述
TRANSISTOR,JFET,P-CHANNEL,50MA I(DSS),TO-72

2N3386 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
FET 技术:JUNCTIONJESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.3 W子类别:FET General Purpose Small Signal
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

2N3386 数据手册

  

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