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2N3376

更新时间: 2024-01-13 04:59:06
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 76K
描述
TRANSISTOR,JFET,P-CHANNEL,6MA I(DSS),TO-72

2N3376 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.81
FET 技术:JUNCTIONJESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.3 W子类别:FET General Purpose Small Signal
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

2N3376 数据手册

  

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