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2N3089

更新时间: 2024-01-08 22:18:12
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美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
1页 76K
描述
TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,15V V(BR)DSS,500UA I(DSS),TO-18

2N3089 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.35配置:SINGLE
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):2 pF
JEDEC-95代码:TO-18JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.4 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N3089 数据手册

  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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