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2N3069

更新时间: 2024-01-09 07:22:39
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美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,2MA I(DSS),TO-18

2N3069 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.67FET 技术:JUNCTION
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.35 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NOBase Number Matches:1

2N3069 数据手册

  

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