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2N2914

更新时间: 2024-02-13 11:18:58
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美国国家半导体 - NSC /
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1页 24K
描述
TRANSISTOR,BJT,PAIR,NPN,45V V(BR)CEO,30MA I(C),TO-77

2N2914 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.28
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.03 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):150
JEDEC-95代码:TO-78JESD-30 代码:O-MBCY-W6
JESD-609代码:e3元件数量:2
端子数量:6封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN (315)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):60 MHz
Base Number Matches:1

2N2914 数据手册

  

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