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2N2722

更新时间: 2024-02-27 17:04:55
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
1页 24K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,45V V(BR)CEO,40MA I(C),TO-77

2N2722 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.67最大集电极电流 (IC):0.04 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):50
JESD-609代码:e0最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.3 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2N2722 数据手册

  

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