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1N914B

更新时间: 2024-01-22 06:48:09
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美国国家半导体 - NSC 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 139K
描述
Diode Data

1N914B 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.59外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:0.025 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N914B 数据手册

  

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