5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.51 | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSBA124XDXV6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor |
|
| NSBA124XDXV6T5G | ONSEMI |
获取价格 |
100mA, 50V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, |
|
| NSBA124XF3 | ONSEMI |
获取价格 |
Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 47 k |
|
| NSBA124XF3T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 47 k |
|
| NSBA143EDP6T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Digital Transistors (BRT) |
|
| NSBA143EDXV6T1 | ROCHESTER |
获取价格 |
100mA, 50V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN |
|
| NSBA143EDXV6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
50V Dual PNP Digital Transistor |
|
| NSBA143EDXV6T5 | ONSEMI |
获取价格 |
100mA, 50V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN |
|
| NSBA143EDXV6T5G | ONSEMI |
获取价格 |
100mA, 50V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, |
|
| NSBA143EF3 | ONSEMI |
获取价格 |
Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 k |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
