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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-F5 | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.71 |
| 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.73 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 150 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 8 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向电流： | 70 µA | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NRVTS8100MFST1G | ONSEMI |
完全替代  |
Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier |
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| NTS8100MFST3G | ONSEMI |
完全替代 |
Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier |
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| NTS8100MFST1G | ONSEMI |
完全替代 |
Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NRVTS8100PFST3G | ONSEMI |
获取价格 |
8 A, 100 V Trench Schottky Rectifier in TO-277 package |
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| NRVTS8120EMFS | ONSEMI |
获取价格 |
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier |
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| NRVTS8120EMFST1G | ONSEMI |
获取价格 |
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier |
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| NRVTS8120EMFST3G | ONSEMI |
获取价格 |
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier |
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| NRVTS860EMFS | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
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| NRVTS860EMFST1G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
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| NRVTS860EMFST3G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
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| NRVTS860PFST3G | ONSEMI |
获取价格 |
8 A, 60 V Trench Schottky Rectifier in TO-277 package |
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| NRVTS8H120EMFST1G | ONSEMI |
获取价格 |
Trench Schottky, 120V, 8A in SO8FL Package |
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| NRVTS8H120EMFST3G | ONSEMI |
获取价格 |
Trench Schottky, 120V, 8A in SO8FL Package |
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