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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SO-8FL, DFN5, 6 PIN | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| Factory Lead Time： | 6 weeks | 风险等级： | 1.48 |
| 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.6 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 210 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 10 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压： | 45 V |
| 最大反向电流： | 50 µA | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTS1045EMFST3G | ONSEMI |
完全替代  |
Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier |
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| NTS1045EMFST1G | ONSEMI |
完全替代 |
Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier |
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| NTS1045MFST1G | ONSEMI |
类似代替 |
Schottky Rectifier |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NRVTS1045EMFST3G | ONSEMI |
获取价格 |
Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier |
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| NRVTS1045MFST1G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
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| NRVTS1045MFST3G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
|
| NRVTS1060PFST3G | ONSEMI |
获取价格 |
10 A, 60 V, Trench Schottky Rectifier in TO277 package |
|
| NRVTS12100EMFST1G | ONSEMI |
获取价格 |
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier |
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| NRVTS12100EMFST3G | ONSEMI |
获取价格 |
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier |
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| NRVTS12100MFST1G | ONSEMI |
获取价格 |
Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier |
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| NRVTS12100MFST3G | ONSEMI |
获取价格 |
Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier |
|
| NRVTS12100PFST3G | ONSEMI |
获取价格 |
12 A, 100 V Trench Schottky Rectifier in TO-277 package |
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| NRVTS12120EMFST1G | ONSEMI |
获取价格 |
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier |
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