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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SO-8FL, DFN5, 6 PIN | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 5 weeks |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS |
| 应用： | EFFICIENCY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.82 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 200 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 10 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 最大重复峰值反向电压： | 120 V | 最大反向电流： | 30 µA |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTS10120EMFST3G | ONSEMI |
完全替代  |
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier |
|
| NTS10120EMFST1G | ONSEMI |
完全替代 |
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier |
|
| NRVTS10120EMFST1G | ONSEMI |
类似代替 |
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NRVTS10120MFST1G | ONSEMI |
获取价格 |
Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier |
|
| NRVTS10120MFST3G | ONSEMI |
获取价格 |
Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier |
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| NRVTS1045EMFST1G | ONSEMI |
获取价格 |
Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier |
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| NRVTS1045EMFST3G | ONSEMI |
获取价格 |
Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier |
|
| NRVTS1045MFST1G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
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| NRVTS1045MFST3G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
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| NRVTS1060PFST3G | ONSEMI |
获取价格 |
10 A, 60 V, Trench Schottky Rectifier in TO277 package |
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| NRVTS12100EMFST1G | ONSEMI |
获取价格 |
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier |
|
| NRVTS12100EMFST3G | ONSEMI |
获取价格 |
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier |
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| NRVTS12100MFST1G | ONSEMI |
获取价格 |
Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier |
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