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NP60N03KUG-AY

更新时间: 2024-09-24 20:44:51
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
4页 656K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,60A I(D),TO-263AB

NP60N03KUG-AY 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.76
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):60 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):88 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YESBase Number Matches:1

NP60N03KUG-AY 数据手册

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