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NNCD3.3E-A

更新时间: 2024-09-17 19:35:59
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 局域网ISM频段光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 115K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 100W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN

NNCD3.3E-A 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
最大击穿电压:3.5 V最小击穿电压:3.1 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e6最大非重复峰值反向功率耗散:100 W
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

NNCD3.3E-A 数据手册

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