是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.4 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 12 ns |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-CDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 4 |
负电源额定电压: | -5.2 V | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX4 | |
可输出: | NO | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | -5.2 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.191 mm | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.25 mA | 表面贴装: | NO |
技术: | BICMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NM5104D15 | ETC |
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x4 SRAM | |
NM5104D18 | ETC |
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x4 SRAM | |
NM5104F12 | ETC |
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x4 SRAM | |
NM5104F15 | ETC |
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x4 SRAM | |
NM5104F18 | ETC |
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x4 SRAM | |
NM59C11EM8 | ROCHESTER |
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EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8 | |
NM59C11EM8 | TI |
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128X8 4-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8 | |
NM59C11EN | ROCHESTER |
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EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | |
NM59C11EN | TI |
获取价格 |
IC 128 X 8 4-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM | |
NM59C11M8 | ROCHESTER |
获取价格 |
EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8 |