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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.4 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 18 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-CDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 负电源额定电压： | -5.2 V | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX1 | |
| 输出特性： | OPEN-EMITTER | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | -5.2 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.2 mA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | BICMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NM5100F15 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| NM5100F18 | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| NM5104D12 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| NM5104D15 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| NM5104D18 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| NM5104F12 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| NM5104F15 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| NM5104F18 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| NM59C11EM8 | ROCHESTER |
获取价格 |
EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8 |
|
| NM59C11EM8 | TI |
获取价格 |
128X8 4-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8 |
|
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