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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP8,.3 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 2.1 MHz | 数据保留时间-最小值： | 40 |
| 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 9.817 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 串行总线类型： | SPI |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.003 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NM25C640 | FAIRCHILD |
获取价格 |
64K-Bit Serial CMOS EEPROM (Serial Peripheral Interface (SPI) Synchronous Bus) |
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| NM25C640EM8 | FAIRCHILD |
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SPI Serial EEPROM |
|
| NM25C640EN | FAIRCHILD |
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SPI Serial EEPROM |
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| NM25C640LEM8 | FAIRCHILD |
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SPI Serial EEPROM |
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| NM25C640LEM8X | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| NM25C640LEN | FAIRCHILD |
获取价格 |
SPI Serial EEPROM |
|
| NM25C640LM8 | FAIRCHILD |
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SPI Serial EEPROM |
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| NM25C640LM8X | FAIRCHILD |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
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| NM25C640LN | FAIRCHILD |
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SPI Serial EEPROM |
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| NM25C640LVM8 | FAIRCHILD |
获取价格 |
SPI Serial EEPROM |
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