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NM24C09UFLZN

更新时间： 2024-11-12 23:53:55

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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I2C Serial EEPROM

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NM24C09UFLZN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP8,.3
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.82	其他特性：	DATA RETENTION > 40 YEARS; WRITE PROTECT
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010DMMR
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	JESD-609代码：	e0
长度：	9.817 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	15 ms
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

NM24C09UFLZN 数据手册

August 1999

NM24C08U/NM24C09U

8K-Bit Serial EEPROM

2-Wire Bus Interface

General Description,

Functions

I I²C™ compatible interface

The NM24C08U/09U devices are 8K (8,192) bit serial interface

CMOS EEPROMs (Electrically Erasable Programmable Read-

OnlyMemory).ThesedevicesfullyconformtotheStandardI²C™

2-wire protocol which uses Clock (SCL) and Data I/O (SDA) pins

to synchronously clock data between the "master" (for example a

microprocessor) and the "slave" (the EEPROM device). In addi-

tion, the serial interface allows a minimal pin count packaging

designed to simplify PC board layout requirements and offers the

designer a variety of low voltage and low power options.

I 8,192 bits organized as 1,024 x 8

I Extended 2.7V – 5.5V operating voltage

I 100 KHz or 400 KHz operation

I Self timed programming cycle (6ms typical)

I "Programming complete" indicated by ACK polling

I NM24C09U: Memory "Upper Block" Write Protect pin

Features

NM24C09U incorporates a hardware "Write Protect" feature, by

which, the upper half of the memory can be disabled against

programming by connecting the WP pin to V_CC. This section of

memory then effectively becomes a ROM (Read-Only Memory)

andcannolongerbeprogrammedaslongasWPpinisconnected

I The I²C™ interface allows the smallest I/O pincount of any

EEPROM interface

I 16 byte page write mode to minimize total write time per byte

to V_CC

I Typical 200µA active current (I_CCA)

I Typical 1µA standby current (I_SB) for "L" devices and 0.1µA

standby current for "LZ" devices

Fairchild EEPROMs are designed and tested for applications requir-

ing high endurance, high reliability and low power consumption for a

continuously reliable non-volatile solution for all markets.

I Endurance: Up to 1,000,000 data changes

I Data retention greater than 40 years

Block Diagram

H.V. GENERATION

TIMING &CONTROL

START

STOP

SDA

LOGIC

CONTROL

LOGIC

SLAVE ADDRESS

PROM

COMPARATOR

XDEC

ARRAY

SCL

WORD

ADDRESS

COUNTER

R/W

YDEC

OUT

DATA REGISTER

DS800009-1

I²C™ is a registered trademark of Philips Electronics N.V.

NM24C08U/09U Rev. B.1

www.fairchildsemi.com

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