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NM24C09MN

更新时间： 2024-09-24 22:28:59

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美国国家半导体 - NSC		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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11页	316K
描述
8192-Bit Serial EEPROM with Synchronous Serial Bus and Write Protect

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NM24C09MN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP8,.3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
其他特性：	HARDWARE WRITE PROTECT FOR UPPER BLOCK; DATA RETENTION > 40 YEARS	最大时钟频率 (fCLK)：	0.1 MHz
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010DMMR	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e0	长度：	9.817 mm
内存密度：	8192 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	1KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	写保护：	HARDWARE
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NM24C09MT8	FAIRCHILD	获取价格	I2C Serial EEPROM
NM24C09MT8X	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8
NM24C09N	NSC	获取价格	8192-Bit Serial EEPROM with Synchronous Serial Bus and Write Protect
NM24C09N	TI	获取价格	1KX8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
NM24C09TEN	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
NM24C09TLEM8	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8
NM24C09TLEMT8	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8
NM24C09TLMT8	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8
NM24C09TLVM8	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8
NM24C09TLVN	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述