是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DFN |
包装说明: | 1.20 X 1 MM, 0.40 MM PITCH, LEAD FREE, WDFN-6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
Factory Lead Time: | 8 weeks | 风险等级: | 1.53 |
Is Samacsys: | N | 模拟集成电路 - 其他类型: | SPDT |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N6 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 1.2 mm | 湿度敏感等级: | 1 |
信道数量: | 2 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 标称断态隔离度: | 57 dB |
通态电阻匹配规范: | 0.5 Ω | 最大通态电阻 (Ron): | 15 Ω |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VSON |
封装等效代码: | TSSOP6,.08 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 1.8/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 0.8 mm | 子类别: | Multiplexers or Switches |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 表面贴装: | YES |
最长断开时间: | 13 ns | 最长接通时间: | 24 ns |
切换: | BREAK-BEFORE-MAKE | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.4 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 1 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NLASB3157DFT2G | ONSEMI |
完全替代 |
2:1 Multiplexer |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NLVAST4051DTR2G | ONSEMI |
获取价格 |
模拟多路复用器/信号分离器 | |
NLVAST4599DTT1G | ONSEMI |
获取价格 |
单 SPDT 模拟开关单电源,TTL 电平 | |
NLVHC125ADTR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Quad Non-inverting Buffer, 3-State | |
NLVHC165ADR2G | ONSEMI |
获取价格 |
8-Bit Serial or Parallel-Input/Serial Output Shift Register | |
NLVHC1G00DFT2G | ONSEMI |
获取价格 |
Single 2-Input NAND Gate | |
NLVHC1G02DFT2G | ONSEMI |
获取价格 |
Single 2-Input NOR Gate | |
NLVHC1G04DFT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Single Inverter | |
NLVHC1G04DFT2G | ONSEMI |
获取价格 |
Single Inverter | |
NLVHC1G08DFT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Single 2-Input AND Gate | |
NLVHC1G08DFT2G | ONSEMI |
获取价格 |
Single 2-Input AND Gate |