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Datasheet > 逻辑 > 总线驱动器/收发器> NLSX3012DR2G
NLSX3012DR2G PDF预览

NLSX3012DR2G

更新时间： 2024-11-02 05:53:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 总线驱动器总线收发器转换器电平转换器逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 163K
描述
2-Bit 100 Mb/s Configurable Dual-Supply Level Translator

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NLSX3012DR2G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：SON,
针数：8Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.69Is Samacsys：N
系列：3012JESD-30 代码：R-PDSO-N8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
逻辑集成电路类型：BUS DRIVER湿度敏感等级：1
位数：1功能数量：2
端口数量：2端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：3-STATE输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SON
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED传播延迟（tpd）：12 ns
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)：4.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

NLSX3012DR2G 数据手册

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NLSX3012  
2-Bit 100 Mb/s Configurable  
Dual-Supply Level  
Translator  
The NLSX3012 is a 2−bit configurable dual−supply bidirectional  
level translator without a direction control pin. The I/O V − and I/O  
http://onsemi.com  
MARKING  
CC  
V −ports are designed to track two different power supply rails, V  
L
CC  
and V respectively. The V supply rail is configurable from 1.3 V  
L
CC  
DIAGRAMS  
to 4.5 V while the V supply rail is configurable from 0.9 V to (V  
L
CC  
− 0.4) V. This allows lower voltage logic signals on the V side to be  
L
UDFN8  
MU SUFFIX  
CASE 517AJ  
8
VAM  
G
translated into higher voltage logic signals on the V  
side, and  
CC  
1
vice−versa. Both I/O ports are auto−sensing; thus, no direction pin is  
required.  
VA = Specific Device Code  
The Output Enable (EN) input, when Low, disables both I/O ports  
by putting them in 3−state. This significantly reduces the supply  
M
G
= Date Code  
= Pb−Free Package  
currents from both V and V . The EN signal is designed to track  
CC  
L
8
V .  
L
SX3012  
ALYW G  
G
SO−8  
D SUFFIX  
CASE 751  
8
Features  
1
• Wide High−Side V Operating Range: 1.3 V to 4.5 V  
CC  
1
Wide Low−Side V Operating Range: 0.9 V to (V − 0.4) V  
L
CC  
A
L
Y
W
G
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
• High−Speed with 140 Mb/s Guaranteed Date Rate for V > 1.8 V  
• Low Bit−to−Bit Skew  
• Overvoltage Tolerant Enable and I/O Pins  
• Non−preferential Powerup Sequencing  
• Small packaging: UDFN8, SO−8, Micro8  
• This is a Pb−Free Device  
L
= Work Week  
= Pb−Free Package  
8
Micro8  
DM SUFFIX  
CASE 846A  
3012  
AYW G  
G
Typical Applications  
1
1
• Mobile Phones, PDAs, Other Portable Devices  
• PC and Laptops  
A
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
Y
W
G
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
NLSX3012MUTAG  
NLSX3012DR2G  
NLSX3012DMR2G  
UDFN8 3000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
SO−8  
(Pb−Free)  
2500/Tape & Reel  
4000/Tape & Reel  
Micro8  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
December, 2009 − Rev. 1  
NLSX3012/D  
1234567...12

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NLSX3012DR2G 替代型号

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NLSX3012DMR2G ONSEMI

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NLSX3012MUTAG ONSEMI

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