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Datasheet > 信号电路 > 复用器或开关> NLAS5223MNR2G
NLAS5223MNR2G PDF预览

NLAS5223MNR2G

更新时间： 2024-09-26 03:46:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 复用器开关复用器或开关信号电路光电二极管输出元件
页数 文件大小 规格书
11页 116K
描述
Ultra-Low 0.5 ohm Dual SPDT Analog Switch

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NLAS5223MNR2G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：QFN
包装说明：VQCCN, LCC10,.06X.07,16针数：10
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：5 weeks
风险等级：1.35Is Samacsys：N
模拟集成电路 - 其他类型：SPDTJESD-30 代码：R-XQCC-N10
JESD-609代码：e4长度：1.8 mm
湿度敏感等级：1信道数量：1
功能数量：2端子数量：10
标称断态隔离度：65 dB通态电阻匹配规范：0.05 Ω
最大通态电阻 (Ron)：0.3 Ω最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出：SEPARATE OUTPUT
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：VQCCN
封装等效代码：LCC10,.06X.07,16封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.8 mm子类别：Multiplexer or Switches
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
最长断开时间：30 ns最长接通时间：50 ns
切换：BREAK-BEFORE-MAKE技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.4 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：1.4 mmBase Number Matches：1

NLAS5223MNR2G 数据手册

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NLAS5223, NLAS5223L  
Ultra−Low 0.5 W  
Dual SPDT Analog Switch  
The NLAS5223 is an advanced CMOS analog switch fabricated in  
Sub−micron silicon gate CMOS technology. The device is a dual  
Independent Single Pole Double Throw (SPDT) switch featuring  
Ultra−Low R of 0.5 ꢀ, at V = 3.0 $ 0.3 V.  
The part also features guaranteed Break Before Make (BBM)  
switching, assuring the switches never short the driver.  
ON  
CC  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAM  
Features  
• Ultra−Low R , t0.5 ꢀ at V = 3.0 $ 0.3 V  
ON  
CC  
XXMG  
WQFN−10  
CASE 488AQ  
• NLAS5223 Interfaces with 2.8 V Chipset  
• NLAS5223L Interfaces with 1.8 V Chipset  
• Single Supply Operation from 1.65−3.6 V  
• Smallest 1.4 x 1.8 x 0.75 mm Thin QFN Package  
G
1
XX  
= Specific Device Code  
AU = NLAS5223  
AV = NLAS5223L  
= Date Code  
• Full 0−V Signal Handling Capability  
CC  
M
• High Off−Channel Isolation  
• Low Standby Current, t50 nA  
• Low Distortion  
G
= Pb−Free Device  
(Note: Microdot may be in either location)  
• R Flatness of 0.15  
ꢀ
ON  
GND  
6
NC2  
7
• High Continuous Current Capability  
$300 mA Through Each Switch  
• Large Current Clamping Diodes at Analog Inputs  
$300 mA Continuous Current Capability  
IN2  
8
5
NC1  
• ESD  
Human Body Model > 2000 V  
COM2  
NO2  
9
4
3
IN1  
• These are Pb−Free Devices  
10  
COM1  
Applications  
• Cell Phone Audio Block  
• Speaker and Earphone Switching  
• Ring−Tone Chip / Amplifier Switching  
• Modems  
1
2
V
CC  
NO1  
FUNCTION TABLE  
NO 1, 2  
IN 1, 2  
NC 1, 2  
0
1
OFF  
ON  
ON  
OFF  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 10 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
September, 2006 − Rev. 4  
NLAS5223/D  
1234567...11

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NLAS5223MNR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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NLAS6233MUR2G ONSEMI

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 		IC DUAL 2-CHANNEL, DBL POLE DBL THROW SWITCH, QCC10, 1.40 X 1.80 MM, 0.40 MM PITCH, LEAD F
NLAS6233MUTBG ONSEMI

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