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NL7SZ57MU3TCG

更新时间： 2024-02-25 10:45:40

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安森美 - ONSEMI		光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	270K
描述
Logic Circuit

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NL7SZ57MU3TCG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	UDFN-6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	系列：	LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：	R-PDSO-N6	长度：	1 mm
逻辑集成电路类型：	LOGIC CIRCUIT	功能数量：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSON	封装等效代码：	SOLCC6,.04,14
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
包装方法：	TR	座面最大高度：	0.55 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.35 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	1 mm
Base Number Matches：	1

NL7SZ57MU3TCG 数据手册

NL7SZ57

Configurable Multifunction

Gate

The NL7SZ57 is an advanced high−speed CMOS multifunction

gate. The device allows the user to choose logic functions AND, OR,

NAND, NOR, XNOR, INVERT and BUFFER. The device has

Schmitt−trigger inputs, thereby enhancing noise immunity.

www.onsemi.com

Features

MARKING

• Designed for 1.65 V to 5.5 V V_CCOperation

• 3.2 ns t at V = 5 V (Typ)

DIAGRAMS

• Inputs/Outputs Overvoltage Tolerant up to 5.5 V

SC−88/SC70−6/

SOT−363

CASE 419B−02

XXXMG

• I

Supports Partial Power Down Protection

• Sink 24 mA at 3.0 V

OFF

• Chip Complexity < 100 FETs

• NLV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q100

Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

SC−74

CASE 318F−05

XXX MG

UDFN6, 1.45x1.0, 0.5P

CASE 517AQ

UDFN6, 1x1, 0.35P

CASE 517BX

X M

XXX = Specific Device Code

= Date Code*

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

*Date Code orientation and/or position may

vary depending upon manufacturing location.

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 8 of this data sheet.

Publication Order Number:

August, 2019 − Rev. 3

NL7SZ57/D

12 3 4 5 6 7...12

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