是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | UDFN-6 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.71 | 系列: | 27WZ |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N6 | 长度: | 1.45 mm |
负载电容(CL): | 50 pF | 逻辑集成电路类型: | BUFFER |
最大I(ol): | 0.024 A | 功能数量: | 2 |
输入次数: | 1 | 端子数量: | 6 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VSON |
封装等效代码: | SOLCC6,.04,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE | 包装方法: | TR |
Prop。Delay @ Nom-Sup: | 7.5 ns | 传播延迟(tpd): | 15.6 ns |
施密特触发器: | YES | 座面最大高度: | 0.55 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 1 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NL27WZ17MU3TCG | ONSEMI |
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双非反相缓冲器,带施密特触发器输入 |
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NL27WZ32 | ONSEMI |
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Dual 2-Input OR Gate |
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NL27WZ32/D | ETC |
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Dual 2-Input OR Gate |
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NL27WZ32_06 | ONSEMI |
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Dual 2−Input OR Gate |
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NL27WZ32_19 | ONSEMI |
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Dual 2-Input OR Gate |
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NL27WZ32MQ1TCG | ONSEMI |
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OR Gate |
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NL27WZ32MU1TCG | ONSEMI |
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Dual 2-Input OR Gate |
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NL27WZ32MU3TCG | ONSEMI |
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OR Gate |
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NL27WZ32US | ONSEMI |
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Dual 2-Input OR Gate |
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NL27WZ32USG | ONSEMI |
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Dual 2−Input OR Gate |
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