是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-363 |
包装说明: | TSSOP, TSSOP6,.08 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 0.68 | 系列: | LVC/LCX/Z |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 2 mm | 负载电容(CL): | 50 pF |
逻辑集成电路类型: | BUFFER | 最大I(ol): | 0.024 A |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 2 |
输入次数: | 1 | 端子数量: | 6 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
输出特性: | OPEN-DRAIN | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP6,.08 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
包装方法: | TR | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 最大电源电流(ICC): | 0.1 mA |
Prop。Delay @ Nom-Sup: | 4.8 ns | 传播延迟(tpd): | 12 ns |
认证状态: | Not Qualified | 施密特触发器: | NO |
座面最大高度: | 1.1 mm | 子类别: | Gates |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 1.25 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
V62/08616-01XE | TI |
类似代替 |
具有漏极开路输出的增强型产品 2 通道、1.65V 至 5.5V 缓冲器 | DCK | | |
SN74LVC2G07MDCKTEP | TI |
类似代替 |
Enhanced Product Dual Buffer/Driver with Open-Drain Output 6-SC70 -55 to 125 | |
NL27WZ16DFT2G | ONSEMI |
类似代替 |
Dual Buffer |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NL27WZ07DTT1 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Buffer with Open Drain Outputs | |
NL27WZ07DTT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Buffer with Open Drain Outputs | |
NL27WZ07DTT3 | ONSEMI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,DUAL BUFFER,LCX/LVC-CMOS,TSOP,6PIN,PLASTIC | |
NL27WZ07MU1TCG | ONSEMI |
获取价格 |
Buffer | |
NL27WZ07MU3TCG | ONSEMI |
获取价格 |
Buffer | |
NL27WZ08 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual 2-Input AND Gate | |
NL27WZ08/D | ETC |
获取价格 |
Dual 2-Input AND Gate | |
NL27WZ08_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual 2−Input AND Gate | |
NL27WZ08_19 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual 2-Input AND Gate | |
NL27WZ08MQ1TCG | ONSEMI |
获取价格 |
Dual 2-Input AND Gate |