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NJW21193G

更新时间： 2024-01-27 15:52:46
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 91K
描述
Silicon Power Transistors

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NJW21193G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-3P包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 340AB-01, TO-3P, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.44最大集电极电流 (IC)：16 A
集电极-发射极最大电压：250 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：8JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

NJW21193G 数据手册

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NJW21193G (PNP)  
NJW21194G (NPN)  
Preferred Devices  
Silicon Power Transistors  
The NJW21193G and NJW21194G utilize Perforated Emitter  
technology and are specifically designed for high power audio output,  
disk head positioners and linear applications.  
http://onsemi.com  
Features  
•ꢀTotal Harmonic Distortion Characterized  
•ꢀHigh DC Current Gain -  
16 AMPERES  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
250 VOLTS, 200 WATTS  
h
= 20 Min @ I = 8 Adc  
C
FE  
•ꢀExcellent Gain Linearity  
•ꢀHigh SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second  
•ꢀThese are Pb-Free Devices  
MARKING  
DIAGRAM  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
250  
400  
5.0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage - 1.5 V  
V
CEO  
V
CBO  
NJW2119xG  
AYWW  
TO-3P  
CASE 340AB  
V
EBO  
V
CEX  
400  
Collector Current - Continuous  
Collector Current - Peak (Note 1)  
I
C
16  
30  
Base Current - Continuous  
I
B
5.0  
Adc  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate Above 25°C  
P
D
200  
1.6  
W
W/°C  
C
x
= 3 or 4  
G
= Pb-Free Package  
= Assembly Location  
= Year  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
-ā 65 to  
+150  
°C  
stg  
A
Y
WW  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
= Work Week  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance,  
Junction-to-Case  
R
q
JC  
0.625  
°C/W  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
Thermal Resistance,  
Junction-to-Ambient  
R
40  
°C/W  
q
JA  
NJW21193G  
TO-3P  
(Pb-Free)  
30 Units/Rail  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.  
NJW21194G  
TO-3P  
(Pb-Free)  
30 Units/Rail  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©ꢀ Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
January, 2008 - Rev. 0  
1
Publication Order Number:  
NJW21193/D  
 
1234567

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