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NJV4031NT1G

更新时间： 2024-09-19 01:23:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 112K
描述
Bipolar Power Transistors

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NJV4031NT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：TO-261, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：7 weeks风险等级：0.83
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W参考标准：AEC-Q101
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：215 MHz
Base Number Matches：1

NJV4031NT1G 数据手册

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NJT4031N,  
NJV4031NT1G,  
NJV4031NT3G  
Bipolar Power Transistors  
NPN Silicon  
http://onsemi.com  
Features  
• Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in  
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
NPN TRANSISTOR  
3.0 AMPERES  
40 VOLTS, 2.0 WATTS  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
COLLECTOR 2,4  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
BASE  
1
C
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
EMITTER 3  
V
CEO  
MARKING  
DIAGRAM  
V
CB  
40  
4
V
EB  
6.0  
1
2
Base Current − Continuous  
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
ESD − Human Body Model  
ESD − Machine Model  
I
B
1.0  
3.0  
5.0  
3B  
C
Adc  
Adc  
Adc  
V
3
AYW  
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 1  
4031NG  
I
C
1
I
CM  
HBM  
MM  
A
Y
W
= Assembly Location  
Year  
= Work Week  
V
4031N = Specific Device Code  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
G
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
THERMAL CHARACTERISTICS  
†
Device  
Package  
Shipping  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
NJT4031NT1G  
NJV4031NT1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
1000 / Tape &  
Reel  
Total Power Dissipation  
Total P @ T = 25°C (Note 1)  
P
D
W
2.0  
0.80  
D
D
A
Total P @ T = 25°C (Note 2)  
A
NJT4031NT3G  
NJV4031NT3G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
4000 / Tape &  
Reel  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
°C/W  
R
R
64  
155  
q
q
JA  
JA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds  
T
L
260  
°C  
°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
J
stg  
1. Mounted on 1” sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd material.  
2. Mounted on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd material.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
August, 2013 − Rev. 4  
NJT4031N/D  
 
12345

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NJV4031NT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NJT4031NT1G ONSEMI

完全替代

 Bipolar Power Transistors NPN Silicon
NSV40301MZ4T1G ONSEMI

类似代替

 Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat)
NSS40301MZ4T1G ONSEMI

类似代替

 Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat)

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