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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> NJT4031NT3G
NJT4031NT3G PDF预览

NJT4031NT3G

更新时间： 2024-11-04 03:46:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 90K
描述
Bipolar Power Transistors NPN Silicon

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NJT4031NT3G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：2 weeks
风险等级：0.8Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：215 MHz
Base Number Matches：1

NJT4031NT3G 数据手册

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NJT4031N  
Preferred Device  
Bipolar Power Transistors  
NPN Silicon  
Features  
•ꢀCollector -Emitter Sustaining Voltage -  
CEO(sus)  
http://onsemi.com  
V
= 40 Vdc (Min) @ I = 10 mAdc  
C
•ꢀHigh DC Current Gain -  
FE  
NPN TRANSISTOR  
3.0 AMPERES  
h
= 200 (Min) @ I = 1.0 Adc  
C
= 100 (Min) @ I = 3.0 Adc  
C
•ꢀLow Collector -Emitter Saturation Voltage -  
= 0.150 Vdc (Max) @ I = 1.0 Adc  
= 0.300 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc  
40 VOLTS, 2.0 WATTS  
V
CE(sat)  
C
C
C 2,4  
•ꢀSOT-223 Surface Mount Packaging  
•ꢀEpoxy Meets UL 94, V-0 @ 0.125 in  
•ꢀESD Ratings: Human Body Model, 3B; > 8000 V  
Machine Model, C; > 400 V  
•ꢀThese are Pb-Free Devices  
B 1  
E 3  
Schematic  
MARKING  
DIAGRAM  
SOT-223  
CASE 318E  
STYLE 1  
AYW  
4031NG  
1
A
Y
= Assembly Location  
Year  
W
= Work Week  
4031N = Specific Device Code  
G
= Pb-Free Package  
PIN ASSIGNMENT  
4
C
B
C
E
3
1
2
Top View Pinout  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©ꢀ Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
August, 2007 - Rev. 0  
1
Publication Order Number:  
NJT4031N/D  
123456

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NJT4031NT3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NJV4031NT3G ONSEMI

完全替代

 Bipolar Power Transistors
NSS40301MZ4T1G ONSEMI

完全替代

 Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat)
NJT4031NT1G ONSEMI

完全替代

 Bipolar Power Transistors NPN Silicon

与NJT4031NT3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NJT5012/12F ETC

获取价格

 		Microwave Components Products
NJT5013/13F ETC

获取价格

 		Microwave Components Products
NJT5015FH NJRC

获取价格

 		Up Converter, 14000MHz Min, 14500MHz Max,
NJT5015H NJRC

获取价格

 		Up Converter, 14000MHz Min, 14500MHz Max,
NJT5018F00100 NJRC

获取价格

 		Up Converter, 8dBm Output Power-Max,
NJT5018F01100 NJRC

获取价格

 		Up Converter, 8dBm Output Power-Max,
NJT5018F10100 NJRC

获取价格

 		Up Converter, 8dBm Output Power-Max,
NJT5018F41100 NJRC

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 		Up Converter, 8dBm Output Power-Max,
NJT5018N00100 NJRC

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 		Up Converter, 8dBm Output Power-Max,
NJT5018N01100 NJRC

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 		Up Converter, 8dBm Output Power-Max,

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