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2N6768

更新时间: 2024-01-02 10:03:21
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NJSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 258K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE

2N6768 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:HERMETIC SEALED, TO-204, 2 PIN
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.64
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas):11.3 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:400 V最大漏极电流 (ID):14 A
最大漏源导通电阻:0.4 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-204JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):56 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N6768 数据手册

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