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2N6767

更新时间: 2024-02-26 12:29:15
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NJSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 258K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE

2N6767 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.92
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):12 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):150 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)

2N6767 数据手册

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