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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-276AB |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.11 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-276AB | JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6299SMD | SEME-LAB | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N6299SMD05 | SEME-LAB | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N630 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 75V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
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| 2N6300 | MICROSEMI | PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N6300 | CENTRAL | Power Transistors |
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| 2N6300 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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