5秒后页面跳转
2N6103 PDF预览

2N6103

更新时间: 2024-02-03 12:58:29
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 248K
描述
SILICON N-P-N VERSAWATT TRANSISTORS

2N6103 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.85
最大集电极电流 (IC):16 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):15JESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):75 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):0.8 MHz

2N6103 数据手册

 浏览型号2N6103的Datasheet PDF文件第2页 

与2N6103相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N6104 NJSEMI RF POWER TRANSISTORS

获取价格

2N6105 NJSEMI RF POWER TRANSISTORS

获取价格

2N6105A NJSEMI Trans GP BJT PNP 50V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box

获取价格

2N6106 RENESAS 7A, 70V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA

获取价格

2N6106 NJSEMI MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS

获取价格

2N6106 BOCA EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS

获取价格