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2N6102

更新时间: 2024-02-04 11:59:59
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NJSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 248K
描述
SILICON N-P-N VERSAWATT TRANSISTORS

2N6102 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.68最大集电极电流 (IC):16 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):15
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):75 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):0.8 MHz
Base Number Matches:1

2N6102 数据手册

 浏览型号2N6102的Datasheet PDF文件第2页 

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