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2N6101

更新时间: 2024-02-05 20:31:09
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NJSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 248K
描述
SILICON N-P-N VERSAWATT TRANSISTORS

2N6101 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.3
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:70 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN (315)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):5 MHzBase Number Matches:1

2N6101 数据手册

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