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2N6034

更新时间: 2024-01-11 13:57:21
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NJSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管
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1页 133K
描述
COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

2N6034 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.17最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN (315)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):25 MHz
Base Number Matches:1

2N6034 数据手册

  

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