是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.74 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 6 A |
集电极-发射极最大电压: | 40 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 5 | JEDEC-95代码: | TO-66 |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 40 W |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 5 MHz |
VCEsat-Max: | 2 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5956E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
获取价格 |
|
2N5956LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
获取价格 |
|
2N5957 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |
获取价格 |
|
2N5957E3 | MICROSEMI | 暂无描述 |
获取价格 |
|
2N5958 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, |
获取价格 |
|
2N5958E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, |
获取价格 |