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2N5956

更新时间: 2024-02-04 18:16:46
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NJSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 299K
描述
Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors

2N5956 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.74
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):6 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5JEDEC-95代码:TO-66
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):40 W
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):5 MHz
VCEsat-Max:2 VBase Number Matches:1

2N5956 数据手册

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