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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 15 A | 基于收集器的最大容量： | 400 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 4 | 最大降落时间（tf）： | 800 ns |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W | 最大上升时间（tr）： | 700 ns |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5882/D | ETC | Silicon NPN High Power Transistor |
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| 2N5882A | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 80V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| 2N5883 | SAVANTIC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5883 | ISC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5883 | JMNIC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5883 | NJSEMI | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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