是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.7 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 10 A | 基于收集器的最大容量: | 300 pF |
集电极-发射极最大电压: | 80 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 4 | JEDEC-95代码: | TO-3 |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
最大上升时间(tr): | 700 ns | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 4 MHz | 最大关闭时间(toff): | 1800 ns |
VCEsat-Max: | 3 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5878LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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2N5879 | SAVANTIC | Silicon PNP Power Transistors |
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2N5879 | MOSPEC | POWER TRANSISTORS(15A,160W) |
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2N5879 | BOCA | COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS |
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2N5879 | NJSEMI | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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2N5879 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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