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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.2 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 3 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-72 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5557LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-72, |
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| 2N5558 | NJSEMI | GENERAL PURPOSE AMPS |
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| 2N5558 | TI | 2N5558 |
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| 2N5559 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5559 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5559 | JMNIC | Silicon NPN Power Transistors |
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