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2N5192

更新时间: 2024-01-19 13:16:18
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NJSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 92K
描述
TO-220

2N5192 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
最大集电极电流 (IC):4 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):7
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):40 W表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2 MHzVCEsat-Max:1.4 V
Base Number Matches:1

2N5192 数据手册

  

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