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2N3792

更新时间: 2024-02-04 00:19:20
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NJSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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2页 182K
描述
SILICON PNP POWER TRANSISTORS

2N3792 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-276AB
包装说明:CHIP CARRIER, R-CBCC-N3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.17Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JEDEC-95代码:TO-276AB
JESD-30 代码:R-CBCC-N3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHzBase Number Matches:1

2N3792 数据手册

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