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2N339

更新时间: 2024-02-26 11:29:35
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NJSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 140K
描述
N-P-N GROWN SILICON TRANSISTORS

2N339 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
最大集电极电流 (IC):0.15 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):20最高工作温度:200 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.25 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO

2N339 数据手册

  

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