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2N336

更新时间: 2024-02-13 15:21:01
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NJSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 148K
描述
NPN Silicon Diffused Transistors

2N336 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TO-5
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.35Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.025 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):75
JEDEC-95代码:TO-5JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):15 MHzBase Number Matches:1

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