是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-39 |
包装说明: | TO-39, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.85 | 最大集电极电流 (IC): | 1.5 A |
集电极-发射极最大电压: | 80 V | 配置: | Single |
最小直流电流增益 (hFE): | 40 | JEDEC-95代码: | TO-39 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 1 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 150 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N3263 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 90V V(BR)CEO | MACRO-T |
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2N3264 | TI | 25A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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2N3265 | TI | 25A, 90V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
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2N3265 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 90V 25A 3-Pin TO-63 |
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2N3266 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | TO-210AE |
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2N3266E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-211MB, Metal, 3 Pin, T |
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