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2N3055C

更新时间: 2024-01-29 21:08:38
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NJSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 125K
描述
N-P-N SILICON POWER TRANSISTOR

2N3055C 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.59外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):15 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):5
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2.5 MHzBase Number Matches:1

2N3055C 数据手册

  

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