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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 基于收集器的最大容量： | 15 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 1 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.9 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2270AL | ETC | NPN |
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| 2N2270LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| 2N2273 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| 2N2274 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
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| 2N2275 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
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| 2N2276 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
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