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2N2201

更新时间: 2024-01-14 12:49:47
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NJSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 328K
描述
20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A

2N2201 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-37
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.45最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25JESD-30 代码:O-MBFM-P3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHzBase Number Matches:1

2N2201 数据手册

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