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2N2192

更新时间: 2024-01-29 18:19:26
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NJSEMI 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 131K
描述
N-P-N EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS

2N2192 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-5
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.34
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHzBase Number Matches:1

2N2192 数据手册

  

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