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2N1975

更新时间: 2024-01-22 23:07:27
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NJSEMI 晶体小信号双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 181K
描述
N-P-N DOUBLE-DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR

2N1975 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.4
基于收集器的最大容量:15 pF集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
JEDEC-95代码:TO-39JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.8 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHzVCEsat-Max:1.2 V
Base Number Matches:1

2N1975 数据手册

  

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