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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.43 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 7.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 70 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-61 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 85 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 85 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N1617A | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin TO-39 Box |
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| 2N1617B | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin TO-39 Box |
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| 2N1618 | SEME-LAB | NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2N1618 | NJSEMI | HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2N1618 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N1618A | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | TO-210AC |
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